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- 品番:
- IRFH3707TR2PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH3707TR2PBF electronic components. IRFH3707TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH3707TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH3707TR2PBF 製品の属性
品番 :
IRFH3707TR2PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Ta), 29A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.35V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.1nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
755pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.8W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (3x3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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