IXYS - IXTP2R4N120P

KEY Part #: K6417018

IXTP2R4N120P 価格設定(USD) [23090個在庫]

  • 1 pcs$2.06287
  • 50 pcs$2.05260

品番:
IXTP2R4N120P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTP2R4N120P electronic components. IXTP2R4N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP2R4N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP2R4N120P 製品の属性

品番 : IXTP2R4N120P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220
シリーズ : Polar™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1207pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.