Infineon Technologies - IPB120N08S403ATMA1

KEY Part #: K6418107

IPB120N08S403ATMA1 価格設定(USD) [51682個在庫]

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  • 1,000 pcs$0.69410

品番:
IPB120N08S403ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH TO263-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB120N08S403ATMA1 製品の属性

品番 : IPB120N08S403ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH TO263-3
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 223µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 167nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 11550pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 278W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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