RQ3C150BCTB 価格設定（USD） [223713個在庫]
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- 品番:
- RQ3C150BCTB
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RQ3C150BCTB electronic components. RQ3C150BCTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3C150BCTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQ3C150BCTB 製品の属性
品番 :
RQ3C150BCTB
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.7 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
60nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4800pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
20W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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