説明 :
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
16A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
180 mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.6V @ 500µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
720pF @ 480V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB