IPI47N10S33AKSA1 価格設定（USD） [74307個在庫]
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- 品番:
- IPI47N10S33AKSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPI47N10S33AKSA1 electronic components. IPI47N10S33AKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI47N10S33AKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPI47N10S33AKSA1 製品の属性
品番 :
IPI47N10S33AKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
47A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
33 mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2500pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
175W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO262-3
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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