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- 品番:
- SPP80N06S2-H5
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies SPP80N06S2-H5 electronic components. SPP80N06S2-H5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPP80N06S2-H5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPP80N06S2-H5 製品の属性
品番 :
SPP80N06S2-H5
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 230µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5500pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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