Diodes Incorporated - DMN90H2D2HCTI

KEY Part #: K6396351

DMN90H2D2HCTI 価格設定(USD) [46527個在庫]

  • 1 pcs$0.62715
  • 50 pcs$0.50097
  • 100 pcs$0.43834
  • 500 pcs$0.32155
  • 1,000 pcs$0.25385

品番:
DMN90H2D2HCTI
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMN90H2D2HCTI electronic components. DMN90H2D2HCTI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN90H2D2HCTI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN90H2D2HCTI 製品の属性

品番 : DMN90H2D2HCTI
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 900V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1487pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 40W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : ITO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab