Diodes Incorporated - DMT6005LFG-7

KEY Part #: K6393844

DMT6005LFG-7 価格設定(USD) [210942個在庫]

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品番:
DMT6005LFG-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6005LFG-7 製品の属性

品番 : DMT6005LFG-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 48.7nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3150pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.98W (Ta), 62.5W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI3333-8
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

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