RS1G180MNTB 価格設定（USD） [167001個在庫]
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- 品番:
- RS1G180MNTB
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RS1G180MNTB electronic components. RS1G180MNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1G180MNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RS1G180MNTB 製品の属性
品番 :
RS1G180MNTB
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7 mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1293pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-HSOP
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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