STMicroelectronics - STP30N20

KEY Part #: K6414313

[12798個在庫]


    品番:
    STP30N20
    メーカー:
    STMicroelectronics
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 200V 30A TO-220.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in STMicroelectronics STP30N20 electronic components. STP30N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP30N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STP30N20 製品の属性

    品番 : STP30N20
    メーカー : STMicroelectronics
    説明 : MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
    シリーズ : STripFET™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 75 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 38nC @ 10V
    Vgs(最大) : -
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1597pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 125W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRFR9014N

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK.

    • IRFR6215TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

    • IRFR6215TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

    • IRFR5505TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

    • IRFR6215TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

    • IRFR5505TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.