APTM100H35FT3G 価格設定（USD） [934個在庫]
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- 100 pcs$49.75799
- 品番:
- APTM100H35FT3G
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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APTM100H35FT3G 製品の属性
品番 :
APTM100H35FT3G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V (1kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
22A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
186nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5200pF @ 25V
パワー-最大 :
390W
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
SP3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP3
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