ON Semiconductor - FDB14N30TM

KEY Part #: K6392662

FDB14N30TM 価格設定(USD) [113103個在庫]

  • 1 pcs$0.32702
  • 800 pcs$0.29949

品番:
FDB14N30TM
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDB14N30TM electronic components. FDB14N30TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB14N30TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB14N30TM 製品の属性

品番 : FDB14N30TM
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
シリーズ : UniFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 300V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 14A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 290 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1060pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 140W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません