SSM3K37MFV,L3F 価格設定（USD） [2226700個在庫]
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- 品番:
- SSM3K37MFV,L3F
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 0.25A VESM.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37MFV,L3F electronic components. SSM3K37MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K37MFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3K37MFV,L3F 製品の属性
品番 :
SSM3K37MFV,L3F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 20V 0.25A VESM
シリーズ :
U-MOSIII
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
250mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
12pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
VESM
パッケージ/ケース :
SOT-723
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