Infineon Technologies - IPZA60R037P7XKSA1

KEY Part #: K6397772

IPZA60R037P7XKSA1 価格設定(USD) [7317個在庫]

  • 1 pcs$5.63215

品番:
IPZA60R037P7XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET TO247-4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZA60R037P7XKSA1 製品の属性

品番 : IPZA60R037P7XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET TO247-4
シリーズ : CoolMOS™ P7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 76A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 37 mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1.48mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 121nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5243pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 255W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-4
パッケージ/ケース : TO-247-4

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