Rohm Semiconductor - BSM180D12P3C007

KEY Part #: K6521865

BSM180D12P3C007 価格設定(USD) [177個在庫]

  • 1 pcs$261.38301

品番:
BSM180D12P3C007
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
SIC POWER MODULE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Rohm Semiconductor BSM180D12P3C007 electronic components. BSM180D12P3C007 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM180D12P3C007, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM180D12P3C007 製品の属性

品番 : BSM180D12P3C007
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : SIC POWER MODULE
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 180A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.6V @ 50mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 900pF @ 10V
パワー-最大 : 880W
動作温度 : 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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