Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K35AMFV,L3F

KEY Part #: K6421713

SSM3K35AMFV,L3F 価格設定(USD) [2750629個在庫]

  • 1 pcs$0.01399
  • 8,000 pcs$0.01392

品番:
SSM3K35AMFV,L3F
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV,L3F electronic components. SSM3K35AMFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K35AMFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K35AMFV,L3F 製品の属性

品番 : SSM3K35AMFV,L3F
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
シリーズ : U-MOSIII
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 250mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.34nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 36pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500mW (Ta)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : VESM
パッケージ/ケース : SOT-723

あなたも興味があるかもしれません
  • FGD3N60LSDTM

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 40W DPAK.

  • SI3434-TP

    Micro Commercial Co

    MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23.

  • BSS316NH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23.

  • FDV301N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.

  • SSM3J325F,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.

  • BSS138

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.