メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
250mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
0.34nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
36pF @ 10V