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- 品番:
- SI2302ADS-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI2302ADS-T1-E3 electronic components. SI2302ADS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2302ADS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI2302ADS-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI2302ADS-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
60 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
300pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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