IRF3007STRLPBF 価格設定（USD） [78267個在庫]
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- 800 pcs$0.47959
- 品番:
- IRF3007STRLPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 75V 62A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF3007STRLPBF electronic components. IRF3007STRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF3007STRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF3007STRLPBF 製品の属性
品番 :
IRF3007STRLPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
75V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
62A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12.6 mOhm @ 48A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3270pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
120W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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