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ON Semiconductor - NVMD6N04R2G

KEY Part #: K6522279

NVMD6N04R2G 価格設定（USD） [186683個在庫]

  • 1 pcs$0.19813
  • 2,500 pcs$0.18010
品番:
NVMD6N04R2G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMD6N04R2G electronic components. NVMD6N04R2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMD6N04R2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMD6N04R2G 製品の属性

品番 : NVMD6N04R2G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4.6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 34 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 30nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 900pF @ 32V
パワー-最大 : 1.29W
動作温度 : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

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