メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
1.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
0.85nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
70.13pF @ 15V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-DFN1006 (1.0x0.6)