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IXYS-RF - IXFT6N100F

KEY Part #: K6398166

IXFT6N100F 価格設定（USD） [9323個在庫]

  • 1 pcs$6.01115
  • 10 pcs$5.41003
  • 100 pcs$4.44825
  • 500 pcs$3.72691
品番:
IXFT6N100F
メーカー:
IXYS-RF
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS-RF IXFT6N100F electronic components. IXFT6N100F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT6N100F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT6N100F 製品の属性

品番 : IXFT6N100F
メーカー : IXYS-RF
説明 : MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
シリーズ : HiPerRF™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5.5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1770pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 180W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268 (IXFT)
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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