ON Semiconductor - FQI27N25TU

KEY Part #: K6418314

FQI27N25TU 価格設定(USD) [59424個在庫]

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品番:
FQI27N25TU
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQI27N25TU 製品の属性

品番 : FQI27N25TU
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 250V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 25.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 110 mOhm @ 12.75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2450pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.13W (Ta), 180W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK (TO-262)
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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