Infineon Technologies - IPB60R160C6ATMA1

KEY Part #: K6417986

IPB60R160C6ATMA1 価格設定(USD) [47876個在庫]

  • 1 pcs$0.81669

品番:
IPB60R160C6ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R160C6ATMA1 製品の属性

品番 : IPB60R160C6ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 23.8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 160 mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 750µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1660pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 176W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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