Rohm Semiconductor - RRS090P03TB1

KEY Part #: K6406700

[1228個在庫]


    品番:
    RRS090P03TB1
    メーカー:
    Rohm Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Rohm Semiconductor RRS090P03TB1 electronic components. RRS090P03TB1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RRS090P03TB1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RRS090P03TB1 製品の属性

    品番 : RRS090P03TB1
    メーカー : Rohm Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
    Vgs(th)(最大)@ Id : -
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
    Vgs(最大) : -
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : -
    動作温度 : -
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOP
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    あなたも興味があるかもしれません
    • TK40P04M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TK40P03M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

    • IRLR8256PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

    • IRLR8259PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

    • NDF08N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

    • NDF05N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V TO-220FP.