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- 品番:
- IRF7326D2TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7326D2TR electronic components. IRF7326D2TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7326D2TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7326D2TR 製品の属性
品番 :
IRF7326D2TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
シリーズ :
FETKY™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.6A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
440pF @ 25V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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