TPW1R306PL,L1Q 価格設定（USD） [66799個在庫]
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- 品番:
- TPW1R306PL,L1Q
- 詳細な説明:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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TPW1R306PL,L1Q 製品の属性
品番 :
TPW1R306PL,L1Q
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
シリーズ :
U-MOSIX-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
260A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.29 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
91nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
8100pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
960mW (Ta), 170W (Tc)
動作温度 :
175°C
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DSOP Advance
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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