SI8410DB-T2-E1 価格設定（USD） [185388個在庫]
- 1 pcs$0.19951
- 3,000 pcs$0.18735
- 品番:
- SI8410DB-T2-E1
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V MICROFOOT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8410DB-T2-E1 electronic components. SI8410DB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8410DB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8410DB-T2-E1 製品の属性
品番 :
SI8410DB-T2-E1
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
850mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
16nC @ 8V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
620pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-Micro Foot (1x1)
パッケージ/ケース :
4-UFBGA
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PHP14NQ20T,127
- 2SJ661-DL-1EX
- 2SK3817-DL-E
- IRF1405ZL-7PPBF
- IPB80N06S209ATMA1
- IXTP102N15T
- FDJ129P_F077
- IRF3704ZCLPBF
- FDS8812NZ
- NTD70N03R
- IPSH5N03LA G
- IPP07N03LB G
- IPI100N06S3-04
- HUF76633P3
- FQI9N15TU
- IRLI610ATU
- FQP7N10L
- FQPF5N20L
- FDB8874
- IRL3705ZSTRL
- IRF7832Z
- BSS123ATA
- 2N6760
- RJK6006DPP-E0#T2
- IRLBD59N04ETRLP
- BSS209PW
- IRFR3707TR
- STP12PF06
- IXFH35N30
- STP8NM60ND
- SI1011X-T1-GE3
- IPC60R099C6X1SA1
- IPP60R180C7XKSA1
- IPP120N08S404AKSA1
- IRFS23N15DTRLP
- STD15N60M2-EP
- STD12N50M2
- IPD12CN10NGATMA1
- TK9P65W,RQ
- PSMN7R0-30YL,115