ES2FHE3_A/H 価格設定（USD） [445255個在庫]
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- 品番:
- ES2FHE3_A/H
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2FHE3_A/H electronic components. ES2FHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2FHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES2FHE3_A/H 製品の属性
品番 :
ES2FHE3_A/H
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
300V
電流-平均整流（Io） :
2A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 2A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F :
15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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