[3239個在庫]
- 品番:
- IDH12G65C5XKSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IDH12G65C5XKSA1 electronic components. IDH12G65C5XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDH12G65C5XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDH12G65C5XKSA1 製品の属性
品番 :
IDH12G65C5XKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2
シリーズ :
CoolSiC™
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
650V
電流-平均整流（Io） :
12A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 12A
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） :
0ns
電流-Vrでの逆漏れ :
190µA @ 650V
静電容量@ Vr、F :
360pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-2
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G