ES2FHE3_A/I 価格設定（USD） [445255個在庫]
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- 品番:
- ES2FHE3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2FHE3_A/I electronic components. ES2FHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2FHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES2FHE3_A/I 製品の属性
品番 :
ES2FHE3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
300V
電流-平均整流（Io） :
2A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 2A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F :
15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
ホットパーツ
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- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
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- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
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- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
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- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97