UH2BHE3_A/I 価格設定（USD） [406932個在庫]
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- 品番:
- UH2BHE3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UH2BHE3_A/I electronic components. UH2BHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UH2BHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UH2BHE3_A/I 製品の属性
品番 :
UH2BHE3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
2A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.05V @ 2A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
25ns
電流-Vrでの逆漏れ :
2µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
42pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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ホットパーツ
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR