Vishay Semiconductor Diodes Division - S1B-E3/51T

KEY Part #: K6447311

[7246個在庫]


    品番:
    S1B-E3/51T
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S1B-E3/51T electronic components. S1B-E3/51T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1B-E3/51T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    S1B-E3/51T 製品の属性

    品番 : S1B-E3/51T
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
    電流-平均整流(Io) : 1A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 1A
    速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 1.8µs
    電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 100V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AC (SMA)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • MA3X0280BL

      Panasonic Electronic Components

      DIODE GEN PURP 6V 150MA MINI3.

    • RB420D-TP

      Micro Commercial Co

      DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOT23.

    • RB421D-TP

      Micro Commercial Co

      DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOT23.

    • 65PQ015

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 15V 65A TO247AC.

    • GPP60GHE3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

    • GPP60G-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 6A P600.