U1B-E3/61T 価格設定（USD） [879208個在庫]
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- 品番:
- U1B-E3/61T
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division U1B-E3/61T electronic components. U1B-E3/61T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for U1B-E3/61T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
U1B-E3/61T 製品の属性
品番 :
U1B-E3/61T
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
920mV @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
24ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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