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ON Semiconductor - 2SJ661-DL-E

KEY Part #: K6405521

[1637個在庫]

    品番:
    2SJ661-DL-E
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器 and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor 2SJ661-DL-E electronic components. 2SJ661-DL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SJ661-DL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SJ661-DL-E 製品の属性

    品番 : 2SJ661-DL-E
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 38A (Ta)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4V, 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 39 mOhm @ 19A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 2.6V @ 1mA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 80nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4360pF @ 20V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 1.65W (Ta), 65W (Tc)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SMP-FD
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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