Infineon Technologies - IPD65R190C7ATMA1

KEY Part #: K6418522

IPD65R190C7ATMA1 価格設定(USD) [67347個在庫]

  • 1 pcs$0.60913
  • 2,500 pcs$0.60610

品番:
IPD65R190C7ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 13A TO-252.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPD65R190C7ATMA1 electronic components. IPD65R190C7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD65R190C7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD65R190C7ATMA1 製品の属性

品番 : IPD65R190C7ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
シリーズ : CoolMOS™ C7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 13A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 190 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 290µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1150pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 72W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.

  • TK6A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS.