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- 品番:
- IRF3709ZSPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF3709ZSPBF electronic components. IRF3709ZSPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF3709ZSPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF3709ZSPBF 製品の属性
品番 :
IRF3709ZSPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
87A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.3 mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.25V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
26nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2130pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
79W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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