Infineon Technologies - IRLI2203NPBF

KEY Part #: K6411969

[13607個在庫]


    品番:
    IRLI2203NPBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRLI2203NPBF electronic components. IRLI2203NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLI2203NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLI2203NPBF 製品の属性

    品番 : IRLI2203NPBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 61A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7 mOhm @ 37A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 110nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±16V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3500pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 47W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB Full-Pak
    パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

    あなたも興味があるかもしれません
    • ZVN2106A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

    • IRLR8113TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

    • IRFR12N25DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.

    • IRFR3710ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

    • IRFR1010ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRFR18N15DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.