Diodes Incorporated - DMC3730UFL3-7

KEY Part #: K6522119

DMC3730UFL3-7 価格設定(USD) [753961個在庫]

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品番:
DMC3730UFL3-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMC3730UFL3-7 製品の属性

品番 : DMC3730UFL3-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel Complementary
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.1A, 700mA
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.9nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 65.9pF @ 25V
パワー-最大 : 390mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-XFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : X2-DFN1310-6 (Type B)

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