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- 品番:
- IXUC200N055
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXUC200N055 electronic components. IXUC200N055 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXUC200N055, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXUC200N055 製品の属性
品番 :
IXUC200N055
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS-220
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
200nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS220™
パッケージ/ケース :
ISOPLUS220™
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