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- 品番:
- IRFR2905ZPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFR2905ZPBF electronic components. IRFR2905ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR2905ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR2905ZPBF 製品の属性
品番 :
IRFR2905ZPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
42A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
14.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
44nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1380pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
110W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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