Infineon Technologies - IPN95R1K2P7ATMA1

KEY Part #: K6419968

IPN95R1K2P7ATMA1 価格設定(USD) [147579個在庫]

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品番:
IPN95R1K2P7ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN95R1K2P7ATMA1 製品の属性

品番 : IPN95R1K2P7ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
シリーズ : CoolMOS™ P7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 950V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.2 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 140µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 478pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 7W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT223
パッケージ/ケース : TO-261-3

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