[2658個在庫]
- 品番:
- GP2M020A060N
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Global Power Technologies Group GP2M020A060N electronic components. GP2M020A060N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP2M020A060N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GP2M020A060N 製品の属性
品番 :
GP2M020A060N
メーカー :
Global Power Technologies Group
説明 :
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
330 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3184pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
347W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3PN
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
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