[995個在庫]
- 品番:
- 2SJ360(F)
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 60V 1A SC-62.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(F) electronic components. 2SJ360(F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SJ360(F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SJ360(F) 製品の属性
品番 :
2SJ360(F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
730 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
155pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PW-MINI
パッケージ/ケース :
TO-243AA
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