[995個在庫]
- 品番:
- 2SJ360(F)
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 60V 1A SC-62.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(F) electronic components. 2SJ360(F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SJ360(F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SJ360(F) 製品の属性
品番 :
2SJ360(F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
730 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
155pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PW-MINI
パッケージ/ケース :
TO-243AA
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