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- 品番:
- IRFS59N10DTRRP
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFS59N10DTRRP electronic components. IRFS59N10DTRRP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS59N10DTRRP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFS59N10DTRRP 製品の属性
品番 :
IRFS59N10DTRRP
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
59A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
114nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2450pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.8W (Ta), 200W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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