BSC019N06NSATMA1 価格設定（USD） [81641個在庫]
- 1 pcs$0.47894
- 品番:
- BSC019N06NSATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIFFERENTIATED MOSFETS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSC019N06NSATMA1 electronic components. BSC019N06NSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC019N06NSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC019N06NSATMA1 製品の属性
品番 :
BSC019N06NSATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIFFERENTIATED MOSFETS
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.3V @ 74µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5.25nF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
136W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8 FL
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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