FDPF18N20FT-G 価格設定（USD） [91815個在庫]
- 1 pcs$0.42586
- 品番:
- FDPF18N20FT-G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 200V 18A TO220F.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDPF18N20FT-G electronic components. FDPF18N20FT-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDPF18N20FT-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDPF18N20FT-G 製品の属性
品番 :
FDPF18N20FT-G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N CH 200V 18A TO220F
シリーズ :
UniFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
140 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
26nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1180pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
35W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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