ON Semiconductor - NVMFD5C470NLT1G

KEY Part #: K6523061

NVMFD5C470NLT1G 価格設定(USD) [203589個在庫]

  • 1 pcs$0.18168

品番:
NVMFD5C470NLT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5C470NLT1G 製品の属性

品番 : NVMFD5C470NLT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A (Ta), 36A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 20µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 590pF @ 25V
パワー-最大 : 3W (Ta), 24W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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