CSD25481F4T 価格設定（USD） [487700個在庫]
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- 250 pcs$0.06961
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- 品番:
- CSD25481F4T
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments CSD25481F4T electronic components. CSD25481F4T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD25481F4T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD25481F4T 製品の属性
品番 :
CSD25481F4T
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
シリーズ :
FemtoFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
88 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.91nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
-12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
189pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-PICOSTAR
パッケージ/ケース :
3-XFDFN
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