R6030ENZC8 価格設定（USD） [16611個在庫]
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- 品番:
- R6030ENZC8
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor R6030ENZC8 electronic components. R6030ENZC8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6030ENZC8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
R6030ENZC8 製品の属性
品番 :
R6030ENZC8
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
85nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2100pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
120W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3PF
パッケージ/ケース :
TO-3P-3 Full Pack
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